SMD Transient Voltage Suppressor
COMCHIP
SMD Diodes Specialist
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (TV50C110-G thru TV50C441-G)
140
120
100
80
60
40
Fig.1 Pulse Derating Curve
350
300
250
200
150
100
Fig.2 Maximum Non-Repetitive
Surge Current
20
50
8.3ms single half
sine-wave (JEDEC method)
T J =T J max.
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
100
Ambient Temperature,TA ( O C)
Fig.4 Steady State Power Derating Curve
7
100
Number of Cycles at 60Hz
Fig.4 Peak Pulse Power Rating Curve
6
5
10
4
3
1
2
1
0
0.1
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
1000
10000
Lead Temperature ( C)
O
Fig.5 Pulse Waveform
10000
Pulse Width,t d ( μ S)
Fig.6- Typical Junction Capacitance
t r =10 μ S
O
T J =25 C
Bi-directional
100
Peak value I PPM
Pulse width (t d ) is defined
as the point where the peak
current decay to 50% of I PP
1000
@zero bias
Uni-directional
@zero bias
Uni-directional
@V RWM
T J =25 C
50
0
td
Half value I PP /2
10/1000 μ S waveform
as defined by R.E.A.
100
10
1
O
f=1.0MHz
Bi-directional @ V RWM
0
1
2
3
4
1
10
100
1000
Time, (mS)
Reverse Breakdown Voltage, V BR (V)
REV:B
QW-BTV14
Comchip Technology CO., LTD.
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TV50C131JB-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 130V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TV50C131J-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 130V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TV50C140JB-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 14V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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